能比較熔沸點(diǎn)的都是很膚淺的,其實(shí)熔沸點(diǎn)只能由實(shí)驗測得.
具體規(guī)律：1、對于晶體類型不同的物質(zhì),一般來講：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體,而金屬晶體的熔點(diǎn)范圍很廣.
2、原子晶體：原子晶體原子間鍵長越短、鍵能越大,共價鍵越穩(wěn)定,物質(zhì)熔沸點(diǎn)越高,反之越低.如：
金剛石（C—C）＞碳化硅（Si—C）＞晶體硅 （Si—Si）.
3、離子晶體：離子晶體中陰、陽離子半徑越小,電荷數(shù)越高,則離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,反之越低.
如KF＞KCl＞KBr＞KI,CaO＞KCl.
4、金屬晶體：金屬晶體中金屬原子的價電子數(shù)越多,原子半徑越小,金屬陽離子與自由電子靜電作用越
強(qiáng),金屬鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,反之越低.如：Na＜Mg＜Al.
合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低.如鋁硅合金＜純鋁（或純硅）.
5、分子晶體：分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高,反之越低.（具有氫鍵的分子晶體,熔沸點(diǎn)
反常地高）如：H2O＞H2Te＞H2Se＞H2S,C2H5OH＞CH3OCH3.
（1）組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高.
如：CH4＜SiH4＜GeH4＜SnH4.
（2）組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對分子質(zhì)量相近）,分子極性越大,其熔沸點(diǎn)就越高,如熔沸點(diǎn)
CO＞N2,CH3OH＞CH3CH3.
（3）在高級脂肪酸形成的油脂中,不飽和程度越大,熔沸點(diǎn)越低.如：
C17H35COOH＞C17H33COOH；
（4）烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳原子數(shù)增加,熔沸點(diǎn)升高,如C2H6＞CH4,C2H5Cl＞CH3Cl,CH3COOH＞HCOOH.
（5）同分異構(gòu)體：鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多,熔沸點(diǎn)降低.如：CH3(CH2)3 CH3 (正)＞CH3CH2CH(CH3)2(異)＞(CH3)4 C(新).芳香烴的異構(gòu)體有兩個取代基時,熔點(diǎn)按對、鄰、 間位降低.（沸點(diǎn)按鄰、間、對位降低）