A Ge 也有半導體性能 ,A錯
B 錯 ,是降低的,C和Si的熔點比Pb高的多
C 存在 GeH4 沸點(101.325kPa)：-88.℃
D 對 比如 H2CO3 >H2SiO3
選 D
下列敘述正確的是：A碳族元素中只有硅單質有半導體性能 B碳族元素單質的熔點,由碳到鉛逐漸升高
下列敘述正確的是：A碳族元素中只有硅單質有半導體性能 B碳族元素單質的熔點,由碳到鉛逐漸升高
C鍺不存在氣態(tài)氫化物
D碳族元素的最高價氧化物對應的水化物中碳酸的酸性最強
C鍺不存在氣態(tài)氫化物
D碳族元素的最高價氧化物對應的水化物中碳酸的酸性最強
化學人氣：566 ℃時間：2020-04-30 02:56:12
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