硅化碳導(dǎo)熱系數(shù)：20大卡/米·小時·度 (隨溫度變化很小)
其它物理性能如下：
密度：3.2克/厘米3
莫氏硬度：9.5
比 熱：0.17千卡/公斤·度
線膨脹系數(shù)：5×10-6(m/℃)
化學(xué)性質(zhì)：
有良好的化學(xué)穩(wěn)定性,抗酸能力強(qiáng).在高溫條件下堿性物質(zhì)對其有侵蝕作用.
在1000℃以上長期使用能與氧氣和水蒸氣發(fā)生如下作用：
①SiC+2O2→Sio2+CO2 ②SiC+4H2O＝Sio2+4H2+CO2
致使元件中SiO2含量逐漸增多,電阻隨之緩慢增加,為之老化.如水蒸氣過多,會促進(jìn)SiC氧化,由②式反應(yīng)產(chǎn)生的H2與空氣中的O2給合H2O再反應(yīng)產(chǎn)生惡性循環(huán),降低壽命.氫氣(H2)能使元件機(jī)械強(qiáng)度降低.氮?dú)?N2)在1200℃以下能防止SiC氧化1350℃以上與Si發(fā)生反應(yīng),使SiC分解.氯氣(Cl2)能使Sic完全分解.