化學(xué)位移是由屏蔽作用所引起的共振時(shí)磁場強(qiáng)度的移動(dòng)現(xiàn)象.所以位移的大小與氫核（或碳核）所處的化學(xué)環(huán)境有關(guān).
影響氫核的位移因素有：
1、電負(fù)性.與質(zhì)子連接的原子電負(fù)性越大,質(zhì)子信號就在越低的磁場出現(xiàn)
2、磁各向異性效應(yīng).分子中之子與某一官能團(tuán)的關(guān)系會(huì)影響質(zhì)子的化學(xué)位移,可以是反磁屏蔽,可以是順磁屏蔽,情況比較復(fù)雜.
影響氫核的位移因素是：電負(fù)性,與氫核的影響因素類似,連接的原子電負(fù)性越大,質(zhì)子信號就在越低的磁場出現(xiàn)