1,由于3/4圓弧可看作一個半圓弧和一個1/4圓弧,由于電流方向相反,則這1/4圓弧的安培力和與其相連的那個1/4圓弧可以抵消（電流方向相反）,故等效于只剩下1/4圓弧受的安培力,這1/4圓弧在磁場中等效的直導(dǎo)線的長度就等于其半徑R,故安培力為BIR
2,我懶得算了,直接疊加就可以,因為波有可疊加性
3,電子收到的洛侖茲力為evB,其作圓周運動,即evB=m*v^2/r
得 r=m*v/e*B
故其包圍的面積S=Pi*r^2=Pi*(m*v/e*B)^2
磁通量=B*S=Pi*(m/e)^2*v^2/B
對電子來說,m/e是常數(shù),故有
你的題目似乎寫錯了,應(yīng)該是正比于v^2,反比于B
1、半徑為R的3/4圓弧形導(dǎo)線,通以穩(wěn)恒電流I,置于均勻外磁場中,且B與導(dǎo)線所在平面平行,則求載流導(dǎo)線所受安培力大小.
1、半徑為R的3/4圓弧形導(dǎo)線,通以穩(wěn)恒電流I,置于均勻外磁場中,且B與導(dǎo)線所在平面平行,則求載流導(dǎo)線所受安培力大小.
為什么答案是IBR 而不是2/3 paiIBR
2、S1和S2是波長均為λ的兩個相干波波源,相距3λ/4.S1的相位比S2超前π/2,若兩波單獨傳播時,在過S1和S2的直線上各點的強度相同,不隨距離變化,且兩波強度都是I0,則在S1、S2連線上S1外側(cè)和S2外側(cè)各點,合成波強度分別是?
3、一電子以速度V垂直進入磁感強度為B的均勻磁場中,此電子在磁場中運動的軌跡所包圍的面積內(nèi)的磁通量：正比與B,反比于V^2.為什么?
為什么答案是IBR 而不是2/3 paiIBR
2、S1和S2是波長均為λ的兩個相干波波源,相距3λ/4.S1的相位比S2超前π/2,若兩波單獨傳播時,在過S1和S2的直線上各點的強度相同,不隨距離變化,且兩波強度都是I0,則在S1、S2連線上S1外側(cè)和S2外側(cè)各點,合成波強度分別是?
3、一電子以速度V垂直進入磁感強度為B的均勻磁場中,此電子在磁場中運動的軌跡所包圍的面積內(nèi)的磁通量：正比與B,反比于V^2.為什么?
物理人氣：609 ℃時間：2020-05-12 06:32:56
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