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  • 安培的分子環(huán)形電流假說(shuō)不可以用來(lái)解釋( ?。?A.磁體在高溫時(shí)失去磁性 B.磁鐵經(jīng)過(guò)敲擊后磁性會(huì)減弱 C.鐵磁類物質(zhì)放入磁場(chǎng)后具有磁性 D.通電導(dǎo)線周圍存在磁場(chǎng)

    安培的分子環(huán)形電流假說(shuō)不可以用來(lái)解釋(  )
    A. 磁體在高溫時(shí)失去磁性
    B. 磁鐵經(jīng)過(guò)敲擊后磁性會(huì)減弱
    C. 鐵磁類物質(zhì)放入磁場(chǎng)后具有磁性
    D. 通電導(dǎo)線周圍存在磁場(chǎng)
    物理人氣:851 ℃時(shí)間:2020-05-23 01:26:45
    優(yōu)質(zhì)解答
    安培的分子環(huán)形電流假說(shuō)是說(shuō)核外電子繞原子核作圓周運(yùn)動(dòng),故安培的分子環(huán)形電流假說(shuō)可以解釋磁化、退磁現(xiàn)象.
    A、磁鐵內(nèi)部的分子電流的排布是大致相同的,故每個(gè)分子電流產(chǎn)生磁場(chǎng)相互加強(qiáng),但在高溫時(shí),分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,故對(duì)外不顯磁性,故安培的分子電流假說(shuō)可以用來(lái)解釋磁體在高溫時(shí)失去磁性,故不能選A.
    B、磁鐵內(nèi)部的分子電流的排布是大致相同的,故每個(gè)分子電流產(chǎn)生磁場(chǎng)相互加強(qiáng),但在經(jīng)過(guò)敲擊后時(shí),分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,故對(duì)外不顯磁性,故安培的分子電流假說(shuō)可以用來(lái)解釋磁體在經(jīng)過(guò)敲擊后時(shí)磁性減弱,故不能選B.
    C、鐵磁類物質(zhì)放入磁場(chǎng)后磁鐵內(nèi)部的分子電流的排布是大致相同的,故每個(gè)分子電流產(chǎn)生磁場(chǎng)相互加強(qiáng),對(duì)外顯現(xiàn)磁性,故安培的分子電流假說(shuō)可以用來(lái)解釋鐵磁類物質(zhì)放入磁場(chǎng)后具有磁性,故不能選C.
    D、通電導(dǎo)線的磁場(chǎng)是由自由電荷的定向運(yùn)動(dòng)形成的,即產(chǎn)生磁場(chǎng)的不是分子電流,故安培的分子環(huán)形電流假說(shuō)不可以用來(lái)解釋通電導(dǎo)線周圍存在磁場(chǎng).故D正確.
    故選D.
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