硅太陽能電池分為單晶硅太陽能電池、多晶硅薄膜太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池三種.
單質硅的一種形態(tài).熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅
多晶硅是單質硅的一種形態(tài).熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅.
非晶硅由非晶態(tài)合金制備,要獲得非晶態(tài),需要有高的冷卻速率,而對冷卻速率的具體要求隨材料而定.硅要求有極高的冷卻速率,用液態(tài)快速淬火的方法目前還無法得到非晶態(tài).近年來,發(fā)展了許多種氣相淀積非晶態(tài)硅膜的技術,其中包括真空蒸發(fā)、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法.一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等,純度要求很高.非晶硅膜的結構和性質與制備工藝的關系非常密切,目前認為以輝光放電法制備的非晶硅膜質量最好,設備也并不復雜.單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導體元件。國際多晶硅主要技術特征有以下兩點：（1）多種生產工藝路線并存，產業(yè)化技術封鎖、壟斷局面不會改變。由于各多晶硅生產工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產工藝技術不同；進而對應的多晶硅產品技術經濟指標、產品質量指標、用途、產品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術特點和技術秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產的多晶硅的產能約占世界總產能的80％，短期內產業(yè)化技術壟斷封鎖的局面不會改變?！　。?）新一代低成本多晶硅工藝技術研究空前活躍。除了傳統(tǒng)工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。