關于PN結的問題
《模擬電子技術基礎》中說PN結中的內建電場是由于P區(qū)帶有不能自由移動的負電荷,而N區(qū)帶有不能自由移動的正電荷,所以PN結之間就會產生一個由N指向P的內建電場,但是我想問為什么P區(qū)會帶不能移動的負電荷,N區(qū)會帶不能移動的正電荷,因為按我的理解,P區(qū)也就是P型半導體,它又叫空穴型半導體,所以它內部有可以移動的帶正電的空穴,沒有不能移動的負電荷,反之,N型半導體中也只有可以移動的自由電子,但到是有不能移動的正電荷,如果按照網上的一些解釋,當P區(qū)和N區(qū)一接觸的時候,那么P區(qū)的多子——空穴跑到N區(qū),而N區(qū)的多子——自由電子跑到P區(qū),效果應該就是一個復合的結果,也就是說,P區(qū)的空穴消失,共用電子對形成,共價鍵變得完整,而這時P區(qū)應該是顯正電性,因為P型半導體中摻入的硼元素為最外層電子數3的五價元素,所以它應該顯正電,N區(qū)也是顯正電性.