P型半導體整體顯電中性
你的理解遺漏了很重要的東西,仔細想想P型半導體中多子空穴的產(chǎn)生過程,受主雜質(zhì)原子 碰原子接受一個電子,然后它周圍產(chǎn)生了空穴,常溫下,這些空穴都是電離的（即這些空穴脫離了碰原子的束縛,成為能夠在整個半導體內(nèi)移動的空穴）
好了, 您光想到了這些帶正電的空穴, 那您就忘了與這些空穴對應的受主雜質(zhì)原子嗎? 它們都接受了一個電子,就成為了固定在晶格中不可移動的帶負電的負離子.（這一點很關(guān)鍵）
1. 半導體內(nèi)的正電荷是空穴,有兩部分來源：受主雜質(zhì)產(chǎn)生的（占絕大多數(shù)）和本征激發(fā)產(chǎn)生的（占少數(shù)）；
2. 負電荷 則是受主負雜質(zhì)離子（數(shù)量很大,等于上面所述的第一部分空穴的數(shù)量）和電子（來源于本征激發(fā),只占少數(shù)）
正電荷總數(shù)（多子空穴）=負電荷總數(shù)（少子電子+受主負離子）
半導體整體是電中性的
同樣的道理,N型半導體也是如此,里面有大量的不可移動的帶正電的施主正離子,負電荷總數(shù)（多子電子）=正電荷總數(shù)（少子空穴+施主正離子）
整體是電中性的