第48題 多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,少數(shù)載流子的濃度與溫度密切相關(guān)
第49題 這個(gè)我認(rèn)為應(yīng)該選摻雜
第50題 該管工作在放大區(qū)
電子電路基礎(chǔ)題.幫下小弟.
電子電路基礎(chǔ)題.幫下小弟.
第48題 (2.0) 分
在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度取決于( )
A、晶體缺陷
B、溫度
C、雜質(zhì)濃度
D、摻雜工藝
第49題 (2.0) 分
半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子產(chǎn)生的原因是( )
A、外電場
B、內(nèi)電場
C、摻雜
D、熱激發(fā)
第50題 (2.0) 分
測得NPN型三極管三個(gè)電極的電位分別為UC=3.3V,UB=3.7V,UE=3V,則該管工作在( )
A、放大區(qū)
B、截止區(qū)
C、飽和區(qū)
D、擊穿區(qū)
第48題 (2.0) 分
在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度取決于( )
A、晶體缺陷
B、溫度
C、雜質(zhì)濃度
D、摻雜工藝
第49題 (2.0) 分
半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子產(chǎn)生的原因是( )
A、外電場
B、內(nèi)電場
C、摻雜
D、熱激發(fā)
第50題 (2.0) 分
測得NPN型三極管三個(gè)電極的電位分別為UC=3.3V,UB=3.7V,UE=3V,則該管工作在( )
A、放大區(qū)
B、截止區(qū)
C、飽和區(qū)
D、擊穿區(qū)
物理人氣:170 ℃時(shí)間:2020-02-03 09:33:47
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