如果沒有填充4s電子,先填充3d電子,那3d就是最外層電子,外面沒有其它電子罩著,自由度大,受原子核的束縛弱,因此能量高；
如果填充了4s電子后,再填充3d電子,那3d電子就是內層電子,被4s電子罩著,只能在內部規(guī)定的空間活動,受原子核的束縛就強了（離原子核較近）,所以能量就降低了；
而4s電子則外面沒有其它電子層罩著,自由度就高,受原子核束縛弱,因此能量偏高了.