摻雜的砷化鎵半導(dǎo)體中電子的遷移率在雜質(zhì)濃度很小和很大是如何隨溫度變化
摻雜的砷化鎵半導(dǎo)體中電子的遷移率在雜質(zhì)濃度很小和很大是如何隨溫度變化
物理人氣：673 ℃時間：2020-06-05 04:01:34
優(yōu)質(zhì)解答
在摻在濃度較低時,電子遷移率隨溫度的升高迅速減小,此時晶格散射其主要作用；當(dāng)雜質(zhì)濃度增加,遷移率下降趨勢就不太顯著,說明雜質(zhì)散射機(jī)構(gòu)的影響在增加；當(dāng)摻雜濃度很高時候,在低溫范圍,隨溫度的升高,電子遷移率反而...
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