1）厄廷好森（Etinghausen）效應引起的電勢差UE.由于電子實際上并非以同一速度v沿y軸負向運動,速度大的電子回轉(zhuǎn)半徑大,能較快地到達接點3的側(cè)面,從而導致3側(cè)面較4側(cè)面集中較多能量高的電子,結(jié)果3、4側(cè)面出現(xiàn)溫差,產(chǎn)生溫差電動勢UE.可以證明UE∝IB.容易理解UE的正負與I和B的方向有關.
（2）能斯特（Nernst）效應引起的電勢差UN.焊點1、2間接觸電阻可能不同,通電發(fā)熱程度不同,故1、2兩點間溫度可能不同,于是引起熱擴散電流.與霍耳效應類似,該熱擴散電流也會在3、4點間形成電勢差UN.若只考慮接觸電阻的差異,則UN的方向僅與B的方向有關.
（3）里紀-勒杜克（Righi-Leduc）效應產(chǎn)生的電勢差UR.上述熱擴散電流的載流子由于速度不同,根據(jù)厄廷好森效應同樣的理由,又會在3、4點間形成溫差電動勢UR.UR的正負僅與B的方向有關,而與I的方向無關.
（4）不等電勢效應引起的電勢差U0.由于制造上的困難及材料的不均勻性,3、4兩點實際上不可能在同一條等勢線上.因而只要有電流,即使沒有磁場B,3、4兩點間也會出現(xiàn)電勢差U0.U0的正負只與電流I的方向有關,而與B的方向無關.
綜上所述,在確定的磁場B和電流IS下,實際測出的電壓是霍耳效應電壓與副效應產(chǎn)生的附加電壓的代數(shù)和.人們可以通過對稱測量方法,即改變IS和磁場B的方向加以消除和減小副效應的影響.在規(guī)定了電流IS和磁場B正、反方向后,可以測量出由下列四組不同方向的IS和B組合的電壓.即：
＋B,＋IS：U1＝ UH＋UE＋UN＋UR＋U0
＋B,－IS：U2＝－UH－UH＋UN－UR－U0
－B,－IS：U3＝ UH＋UE－UN－UR－U0
－B,＋IS：U4＝－UH－UE－UN＋UR＋U0
然后求U1,U2,U3,U4的代數(shù)平均值得：
UH＝1／4（U1－U2＋U3－U4）－UE
通過上述測量方法,雖然不能消除所有的副效應,但考慮到UE較小,引入的誤差不大,可以忽略不計,因此霍耳效應電壓UH可近似為
UH＝1／4（U1－U2＋U3－U4）（19－6）