二氧化硅熔點(diǎn)1723℃
硅晶體熔點(diǎn)熔點(diǎn)1420℃
因?yàn)镾i-Si鍵的鍵能小于Si-O
二氧化硅與硅晶體的熔點(diǎn)哪個(gè)高
二氧化硅與硅晶體的熔點(diǎn)哪個(gè)高
化學(xué)人氣：403 ℃時(shí)間：2020-03-27 13:54:39
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