Ube=0.7V不是硅三極管飽和時(shí)的特征,其實(shí)硅三極管只要工作,無(wú)論飽和與否,Ube總是接近于0.7V.這個(gè)0.7V與圓周率π=3.14一樣,基本上是一個(gè)常數(shù).如果從內(nèi)部原理解釋,那就是pn結(jié)P區(qū)N區(qū)自由電子濃度一負(fù)一正,結(jié)果形成擴(kuò)散勢(shì).擴(kuò)散勢(shì)的數(shù)值與材料和摻雜濃度有關(guān).對(duì)于硅,摻雜濃度百萬(wàn)分之一時(shí),擴(kuò)散勢(shì)就是大約0.7V.擴(kuò)散勢(shì)計(jì)算,可以閱讀半導(dǎo)體物理學(xué)著作及模擬電子技術(shù)教科書(shū).pn結(jié)即三極管發(fā)射結(jié)導(dǎo)通后,0.7V擴(kuò)散勢(shì)就作為正向壓降即發(fā)射結(jié)壓降體現(xiàn)出來(lái).
晶體管集電極電流首先降落在電阻Rc或者Re上,其次才落在晶體管集電極與發(fā)射極上.由于Ic或Rc比較大,Rc壓降比較大,結(jié)果晶體管集電極與發(fā)射極壓降很小了,就是晶體管飽和.飽和時(shí)Uce不應(yīng)總是0.3V.小功率管也可能是0.1V,大功率管還可能是1V.