本征半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂之間的中線上,導(dǎo)帶中的自由電子和價(jià)帶中的空穴均很少,因此常溫下導(dǎo)電能力低,但在光和熱的激勵(lì)下導(dǎo)電能力增強(qiáng).
n型摻雜半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)接近導(dǎo)帶底,導(dǎo)帶中的自由電子數(shù)高于本征半導(dǎo)體,導(dǎo)電能力隨摻雜濃度提高而增強(qiáng),屬于電子導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體.
p型摻雜半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)接近價(jià)帶頂,價(jià)帶中的空穴數(shù)高于本征半導(dǎo)體,導(dǎo)電能力隨摻雜濃度提高而增強(qiáng),屬于空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體.