平板電容器由兩個彼此靠得很近的平行極板（設(shè)為A和B）所組成,兩極板的面積均為S,設(shè)兩極板分別帶有+Q,-Q的電荷,于是每塊極板的電荷密度為σ=Q/S
略去極板的邊緣效應(yīng),板間的電場看成是均勻電場,高斯定理得兩板間場強(qiáng)為E=σ/ε.=Q/ε.
再由U=∫AB E dl =Ed=Qd/ε.再根據(jù)C=Q/U
得出C=ε.S/d既平板電容公式也就是C=S/4πkd
注：ε.=1/4πk 是真空電容率
i=C*dv/dt
C=εs/d=ε*π*R*R/d
V=E*d
dv/dt=dE/dt*d
所以i=(ε*π*R*R/d)*(dE/dt*d)=ε*π*R*R*dE/dt