安培分子電流假說(shuō).安培認(rèn)為在原子、分子等物質(zhì)微粒的內(nèi)部,存在著一種環(huán)形電流——分子電流,使每個(gè)微粒成為微小的磁體,分子的兩側(cè)相當(dāng)于兩個(gè)磁極.但實(shí)際上分子中的電子不是圍繞原子核轉(zhuǎn)動(dòng)的而是電子在空間出現(xiàn)的概率形成的電子云.這個(gè)假說(shuō)只是便于初學(xué)者容易理解磁與電的關(guān)系.
法國(guó)學(xué)者安培提出了著名的分子電流的假說(shuō)．他認(rèn)為,在原子、分子等物質(zhì)微粒內(nèi)部,存在著一種環(huán)形電流——分子電流,分子電流使每個(gè)物質(zhì)微粒都成為微小的磁體,它的兩側(cè)相當(dāng)于兩個(gè)磁極．
磁場(chǎng)強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度均為表征磁場(chǎng)性質(zhì)（即磁場(chǎng)強(qiáng)弱和方向）的兩個(gè)物理量.由于磁場(chǎng)是電流或者說(shuō)運(yùn)動(dòng)電荷引起的,而磁介質(zhì)（除超導(dǎo)體以外不存在磁絕緣的概念,故一切物質(zhì)均為磁介質(zhì)）在磁場(chǎng)中發(fā)生的磁化對(duì)源磁場(chǎng)也有影響（場(chǎng)的迭加原理）.因此,磁場(chǎng)的強(qiáng)弱可以有兩種表示方法：
在充滿(mǎn)均勻磁介質(zhì)的情況下,若包括介質(zhì)因磁化而產(chǎn)生的磁場(chǎng)在內(nèi)時(shí),用磁感應(yīng)強(qiáng)度B表示,其單位為特斯拉T,是一個(gè)基本物理量；單獨(dú)由電流或者運(yùn)動(dòng)電荷所引起的磁場(chǎng)（不包括介質(zhì)磁化而產(chǎn)生的磁場(chǎng)時(shí)）則用磁場(chǎng)強(qiáng)度H表示,其單位為A/m,是一個(gè)輔助物理量.
具體的,B決定了運(yùn)動(dòng)電荷所受到的洛侖茲力,因而,B的概念叫H更形象一些.在工程中,B也被稱(chēng)作磁通密度（單位Wb/m2）.在各向同性的磁介質(zhì)中,B與H的比值即介質(zhì)的絕對(duì)磁導(dǎo)率μ,單位為亨/米(H/m).
著名的分子電流假說(shuō).安培認(rèn)為構(gòu)成磁體的分子內(nèi)部存在一種環(huán)形電流——分子電流.由于分子電流的存在,每個(gè)磁分子成為小磁體,兩側(cè)相當(dāng)于兩個(gè)磁極.通常情況下磁體分子的分子電流取向是雜亂無(wú)章的,它們產(chǎn)生的磁場(chǎng)互相抵消,對(duì)外不顯磁性.當(dāng)外界磁場(chǎng)作用后,分子電流的取向大致相同,分子間相鄰的電流作用抵消,而表面部分未抵消,它們的效果顯示出宏觀(guān)磁性.安培的分子電流假說(shuō)在當(dāng)時(shí)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的知識(shí)甚少的情況下無(wú)法證實(shí),它帶有相當(dāng)大的臆測(cè)成分；在今天已經(jīng)了解到物質(zhì)由分子組成,而分子由原子組成,原子中有繞核運(yùn)動(dòng)的電子,安培的分子電流假說(shuō)有了實(shí)在的內(nèi)容,已成為認(rèn)識(shí)物質(zhì)磁性的重要依據(jù).