一般二氧化硅的比表面隨焙燒溫度增加會漸漸降低,特別是當(dāng)焙燒溫度高于800度時,同時孔徑也會相應(yīng)收縮；
另外,焙燒對二氧化硅表面羥基的影響較大,焙燒溫度越高,會有越多B酸中心轉(zhuǎn)化為L酸中心；
所以,針對不同反應(yīng),應(yīng)采用不同的焙燒溫度.
如果要使二氧化硅更好地涂覆于堇青石蜂窩陶瓷上,應(yīng)該焙燒溫度稍高一些,而且最好采用程序升溫方法,緩慢升溫.
常用的二氧化硅載體的焙燒溫度為550度.
而且需要注意的是,二氧化硅載體,特別是硅膠載體在高溫焙燒過程中容易炸裂