半導(dǎo)體物理,陷阱,狀態(tài)密度,
1.我對半導(dǎo)體物理里陷阱的概念不是很清楚,以n型半導(dǎo)體為例,其之所以是n型,是因為它摻入了施主雜質(zhì),產(chǎn)生了施主能級,那陷阱是不是也可以看成是一種能級,只不過它比施主能級還要低一些（或者說更深一些）,并且這個陷阱能級也是通過雜質(zhì)產(chǎn)生的還是材料本身的缺陷產(chǎn)生的?
2.關(guān)于費米分布和費米能級,我個人覺得電子占據(jù)能級的幾率既然服從費米分布,而費米分布是與E成e指數(shù)的倒數(shù)關(guān)系,那么費米能級以下就應(yīng)該不是被電子完全占據(jù)的,不知道我這個想法是不是對的?
3.導(dǎo)帶狀態(tài)密度N(E)正比與E的1/2次方,價帶也是如此.另外,對于n型半導(dǎo)體,施主雜質(zhì)的狀態(tài)密度就是施主雜質(zhì)的濃度,那么陷阱的狀態(tài)密度是什么呢,就是產(chǎn)生陷阱的雜質(zhì)（或者是缺陷）濃度嗎?