(2010?安徽模擬)氣態(tài)中性基態(tài)原子的原子核外電子排布發(fā)生如下變化,吸收能量最多的是( ) A.1s22s22p63s23p2→1s22s22p63s23p1 B.1s22s22p63s23p3→1s22s22p63s23p2 C.1s
(2010?安徽模擬)氣態(tài)中性基態(tài)原子的原子核外電子排布發(fā)生如下變化,吸收能量最多的是( )
A. 1s22s22p63s23p2→1s22s22p63s23p1
B. 1s22s22p63s23p3→1s22s22p63s23p2
C. 1s22s22p63s23p4→1s22s22p63s23p3
D. 1s22s22p63s23p64s24p2→1s22s22p63s23p64s24p1
A. 1s22s22p63s23p2→1s22s22p63s23p1
B. 1s22s22p63s23p3→1s22s22p63s23p2
C. 1s22s22p63s23p4→1s22s22p63s23p3
D. 1s22s22p63s23p64s24p2→1s22s22p63s23p64s24p1
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優(yōu)質(zhì)解答
由原子核外電子排布可知A、B、C、D依次為Si、P、S、Ge;Si和Ge同一主族,Si在Ge上方,Si第一電離能大;Si、P、S為同一周期相鄰元素,P元素原子的3p軌道為半充滿(mǎn),電子能量較低,P元素的第一電離能大,即第一電離能P...
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