反物質(zhì)儲(chǔ)存是指一種儲(chǔ)存反物質(zhì)的技術(shù)，其原理是電磁場(chǎng)通過令暗物質(zhì)遠(yuǎn)離所謂“彭寧離子阱”(Penning trap)的內(nèi)壁，可以在里面儲(chǔ)存暗物質(zhì)。據(jù)美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)物理學(xué)榮譽(yù)教授杰拉爾德•史密斯介紹，這一過程僅持續(xù)幾個(gè)月時(shí)間，隨后反物質(zhì)會(huì)與彭寧離子阱“等候區(qū)”的迷失物質(zhì)粒子相接觸，無法產(chǎn)生完美的沒有物質(zhì)的真空。

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