半導體中載流子的平均自由程大約為數(shù)百埃（晶體中的雜質、缺陷越少,晶格越完整,自由程就越大）,比半導體的晶格常數(shù)大得多.
晶格常數(shù)是晶體單胞（晶胞）的邊長,與原子間距差不多,大約為幾埃.
為什么平均自由程遠大于晶格常數(shù)呢?這是由于完全規(guī)則排列的原子并不散射載流子,這些規(guī)則排列的原子（產生周期性勢場）只是決定載流子的能量狀態(tài)（能帶狀態(tài)）；散射載流子的因素是破壞晶格周期性勢場的那些東西——雜質和缺陷.