在理想完整晶體中,原子按一定的次序嚴格地處在空間有規(guī)則的、周期性的格點上.但在實際的晶體中,由于晶體形成條件、原子的熱運動及其它條件的影響,原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則,往往存在偏離了理想晶體結構的區(qū)域.這些與完整周期性點陣結構的偏離就是晶體中的缺陷,它破壞了晶體的對稱性.
晶體中存在的缺陷種類很多,根據(jù)幾何形狀和涉及的范圍?？煞譃辄c缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要類型.
點缺陷：是指三維尺寸都很小,不超過幾個原子直徑的缺陷.主要有空位和間隙原子
空位是指未被原子所占有的晶格結點.間隙原子是處在晶格間隙中的多余原子.點缺陷的出現(xiàn),使周圍的原子發(fā)生靠攏或撐開,造成晶格畸變.使材料的強度、硬度和電阻率增加.所以金屬中,點缺陷越多,它的強度、硬度越高.
線缺陷：是指三維空間中在二維方向上尺寸較小,在另一維方面上尺寸較大的缺陷.屬于這類缺陷主要是位錯.什么是位錯呢?
位錯是晶體中的某處有一列或若干列原子發(fā)生了某種有規(guī)律的錯排現(xiàn)象.
面缺陷：是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷.通常是指晶界和亞晶界.
缺陷對物理性能的影響很大,可以極大的影響材料的導熱,電阻,光學,和機械性能,極大地影響材料的各種性能指標,比如強度,塑性等.
化學性能影響主要集中在材料表面性能上,比如雜質原子的缺陷會在大氣環(huán)境下形成原電池模型,極大地加速材料的腐蝕,另外表面能量也會受到缺陷的極大影響,表面化學活性,化學能等等.
總之影響非常大,但是如果合理的利用缺陷,可以提高材料某一方面的性能,比如人工在半導體材料中進行摻雜,形成空穴,可以極大地提高半導體材料的性能.