位錯密度的測量是個難題,傳統(tǒng)的方法是采用金相法,通過觀察位錯露頭的個數(shù),計(jì)算位錯密度.高分辨電鏡是個辦法,也是很多人用的辦法,但是做過相關(guān)研究的人都會知道該方法的固有缺陷.1.好的高分辨電鏡晶格花樣不宜獲得,就算是可以獲得,也通常只在一個很小的區(qū)域,因此得到的值缺乏統(tǒng)計(jì)性.2.獲得高質(zhì)量高分辨花樣后,位錯通常是很難辨別的,因?yàn)榫Ц裢ǔ２皇呛芮宄?通常要通過傅立葉變化的方法去處理花樣,但是傅立葉變換會引入很多誤差,有些本來不是位錯的地方看起來也像是位錯,因?yàn)橥干潆婄R晶格像的面積非常小,所以如果多出幾根位錯也會使結(jié)果產(chǎn)生數(shù)量級的誤差.但是不得不說,TEM或傳統(tǒng)金像分析法是最直接的方法.\x0d位錯密度的確定是個公認(rèn)的難題,但是也并非不能解決,有一些間接的方法可以得到位錯密度,眾所周知,位錯密度與材料的殘余應(yīng)變有很大的關(guān)系,因此如果殘余應(yīng)變能夠精確的測量,再輔以相應(yīng)的模型,位錯密度是可以得到精確表征的.\x0d關(guān)于殘余應(yīng)變,也有很多問題,傳統(tǒng)的XRD線型分析,可以得到殘余應(yīng)變,但是由于材料彈性系數(shù)的各向異性,通常在不同的晶向指數(shù)上,其應(yīng)變也不同,從而產(chǎn)生所謂的應(yīng)變對比度（strain contrast）,應(yīng)變對比度的表征需要很強(qiáng)的晶體學(xué)基礎(chǔ).