用高斯定理 ∫ E·dS = q / ε
建坐標(biāo),平板中心處x=0
在內(nèi)部做一個(gè)柱面,E ΔS + E ΔS = ρ*2*x*ΔS/ ε,E = ρ*x / ε
在外部做一個(gè)柱面,E ΔS + E ΔS = ρ*b*ΔS/ ε,E = ρ*b / (2ε)
圖示一厚度為d的無限大均勻帶電平板,電荷體密度為P（設(shè)原點(diǎn)在帶電平板的中央
圖示一厚度為d的無限大均勻帶電平板,電荷體密度為P（設(shè)原點(diǎn)在帶電平板的中央
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