峰/背比（P/B）
特征X射線的強(qiáng)度與背底強(qiáng)度之比稱為峰背比P/B,在進(jìn)行高精度分析時(shí),希望峰背比P/B高.按照札盧澤克（Zaluzec）理論,探測(cè)到的薄膜試樣中元素的X 射線強(qiáng)度N 的表示式如下：
N=(IσωpN0ρCtΩ)/4επM
式中：
I——入射電子束強(qiáng)度；σ——離化截面；ω——熒光產(chǎn)額；
p——關(guān)注的特征X射線產(chǎn)生的比值；N0——阿弗加德羅常數(shù)；ρ——密度；
C——化學(xué)組成（濃度）（質(zhì)量分?jǐn)?shù),％）；t——試樣厚度；Ω——探測(cè)立體角；
ε——探測(cè)器效率；M——相對(duì)原子質(zhì)量.
如果加速電壓增高,產(chǎn)生的特征X 射線強(qiáng)度稍有下降,但是,來自試樣的背底X射線卻大大減小,結(jié)果峰背比P/B 提高了.