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  • 摻雜半導(dǎo)體電子濃度計算

    摻雜半導(dǎo)體電子濃度計算
    在本征硅中摻入1%的As后,設(shè)雜質(zhì)全部電離.請問該雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度是多少?(本征硅的載流子濃度ni = 1.5*10^10每cm^3)
    物理人氣:497 ℃時間:2020-04-05 23:06:11
    優(yōu)質(zhì)解答
    硅的原子密度為5*10^22cm-3,摻入1%的As后,若雜質(zhì)全部電離,則室溫下載流子濃度為:
    多數(shù)載流子(電子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
    少數(shù)載流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
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