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  • 如圖所示,一質(zhì)量為m,電荷量為q的粒子從容器A下方小孔S1飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng).初速度可視為0.然后...

    如圖所示,一質(zhì)量為m,電荷量為q的粒子從容器A下方小孔S1飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng).初速度可視為0.然后...
    如圖所示,一質(zhì)量為m,電荷量為q的粒子從容器A下方小孔S1飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng).初速度可視為0.然后讓粒子垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場(chǎng)中,最后打到照相底片D上,如圖所示.求
     ?、倭W舆M(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速率;
      ②粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑.③粒子在s1區(qū)做什么運(yùn)動(dòng)
    物理人氣:915 ℃時(shí)間:2019-08-21 09:34:27
    優(yōu)質(zhì)解答
    ①粒子在S1區(qū)做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng).在S2區(qū)做勻速直線運(yùn)動(dòng),在S3區(qū)做勻速圓周運(yùn)動(dòng).1/2mv2=qU,v=√2qU/m
    ②粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為:
    r=mv/qB=√2mU/qB2
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