氧化液組成及工藝條件如下：
名 稱 含量(ml/L)
硫酸(H2SO4) 100～200
電壓/V 12
氧化時(shí)間/min 20~120
電源 直流
陰陽極面積比 1.5
溫度/℃ 20~30
平均電流密度/A•dm-2 0.10
1) 當(dāng)硫酸(H2SO4)溶液濃度較高時(shí)得到的膜容易上色,且顏色較深,膜的空隙率較大；當(dāng)硫酸(H2SO4)溶液濃度較低時(shí),膜上色微慢,且顏色較淺,膜的空隙率較小.所以要想制得吸附力強(qiáng),富有彈性的膜可以用濃度較高的氧化液,如果要想硬質(zhì)而耐磨的氧化膜可以用濃度較低的氧化液.
2) 陽極氧化時(shí),初始電流密度對(duì)氧化膜的結(jié)構(gòu)影響很大.過高的電流密度會(huì)使試件的邊緣膜出現(xiàn)燒焦?fàn)顟B(tài),還會(huì)致使氧化膜非常粗糙.因此,陽極氧化過程中,電流密度應(yīng)逐步升高到一定值,以后的氧化過程中,電壓波動(dòng)也最好不要超過2V.當(dāng)電流密度超過3.3 A•dm-2時(shí),隨著電流密度的增加,氧化膜的耐蝕性反而降低,但在電流密度不超過3.3 A•dm-2的時(shí)候,隨著電流密度的增加,氧化膜的空隙率也增多,易于染色,耐蝕性也較好.
3) 在1h之內(nèi),氧化膜的生長(zhǎng)與氧化時(shí)間成正比.但氧化時(shí)間過長(zhǎng)時(shí),由于氧化膜的表面被電解液溶解,氧化膜的孔徑逐漸變大,膜層也變得粗糙起來.