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  • 短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X 原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的3倍,Y 原子的最外層只有2個(gè)電子,Z 單質(zhì)可制成半導(dǎo)體材料,W與X屬于同一主族.下列敘述正確的是( 

    短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X 原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的3倍,Y 原子的最外層只有2個(gè)電子,Z 單質(zhì)可制成半導(dǎo)體材料,W與X屬于同一主族.下列敘述正確的是( ?。?br/>A. 元素X 的簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性比W的強(qiáng)
    B. 元素W 的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的酸性比Z的弱
    C. 化合物YX、ZX2、WX3 中化學(xué)鍵的類型相同
    D. 原子半徑的大小順序:rW>rZ>rY>rX
    其他人氣:962 ℃時(shí)間:2019-10-11 10:39:42
    優(yōu)質(zhì)解答
    短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的3倍,X有2個(gè)電子層,最外層電子數(shù)為6,故X為O元素,W與X屬于同一主族,故W為S元素,Y原子的最外層只有2個(gè)電子,原子序數(shù)大于O元素,故Y處于第三周期,故Y為Mg元素,Z單質(zhì)可制成半導(dǎo)體材料,Z為Si元素,
    A、非金屬性O(shè)>S,故元素O的簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性比S的強(qiáng),故A正確;
    B、非金屬Si<S,故元素S的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的酸性比Si的強(qiáng),故B錯(cuò)誤;
    C、化合物MgO為離子化合物,含有離子鍵,SiO2、SO3 屬于共價(jià)化合物,含有共價(jià)鍵,故C錯(cuò)誤;
    D、同周期自左而右,原子半徑減小,同主族電子層越多原子半徑越大,故原子半徑Mg>Si>S>O,即rY>rZ>rW>rX,故D錯(cuò)誤;
    故選A.
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