硅的性質(zhì)：
　　結(jié)晶型的硅是暗黑藍(lán)色的,很脆,是典型的半導(dǎo)體.化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定.在常溫下,除氟化氫以外,很難與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng).
　　硅的用途：
　?、俑呒兊膯尉Ч枋侵匾陌雽?dǎo)體材料.在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半導(dǎo)體；摻入微量的第VA族元素,形成n型和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,就可做成太陽能電池,將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料.
　?、诮饘偬沾?、宇宙航行的重要材料.將陶瓷和金屬混合燒結(jié),制成金屬陶瓷復(fù)合材料,它耐高溫,富韌性,可以切割,既繼承了金屬和陶瓷的各自的優(yōu)點(diǎn),又彌補(bǔ)了兩者的先天缺陷.可應(yīng)用于軍事武器的制造第一架航天飛機(jī)“哥倫比亞號(hào)”能抵擋住高速穿行稠密大氣時(shí)磨擦產(chǎn)生的高溫,全靠它那三萬一千塊硅瓦拼砌成的外殼.
　?、酃鈱?dǎo)纖維通信,最新的現(xiàn)代通信手段.用純二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纖維,激光在玻璃纖維的通路里,無數(shù)次的全反射向前傳輸,代替了笨重的電纜.光纖通信容量高,一根頭發(fā)絲那么細(xì)的玻璃纖維,可以同時(shí)傳輸256路電話,它還不受電、磁干擾,不怕竊聽,具有高度的保密性.光纖通信將會(huì)使 21世紀(jì)人類的生活發(fā)生革命性巨變.
　　④性能優(yōu)異的硅有機(jī)化合物.例如有機(jī)硅塑料是極好的防水涂布材料.在地下鐵道四壁噴涂有機(jī)硅,可以一勞永逸地解決滲水問題.在古文物、雕塑的外表,涂一層薄薄的有機(jī)硅塑料,可以防止青苔滋生,抵擋風(fēng)吹雨淋和風(fēng)化.天安門廣場(chǎng)上的人民英雄紀(jì)念碑,便是經(jīng)過有機(jī)硅塑料處理表面的,因此永遠(yuǎn)潔白、清新.
　　發(fā)現(xiàn)
　　1822年,瑞典化學(xué)家白則里用金屬鉀還原四氟化硅,得到了單質(zhì)硅.
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　　名稱由來
　　源自英文silica,意為“硅石”.
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　　分布
　　硅主要以化合物的形式,作為僅次于氧的最豐富的元素存在于地殼中,約占地表巖石的四分之一,廣泛存在于硅酸鹽和硅石中.
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　　制備
　　工業(yè)上,通常是在電爐中由碳還原二氧化硅而制得.
　　化學(xué)反應(yīng)方程式：
　　SiO2 + 2C → Si + 2CO
　　這樣制得的硅純度為97~98%,叫做金屬硅.再將它融化后重結(jié)晶,用酸除去雜質(zhì),得到純度為99.99.8%的金屬硅.如要將它做成半導(dǎo)體用硅,還要將其轉(zhuǎn)化成易于提純的液體或氣體形式,再經(jīng)蒸餾、分解過程得到多晶硅.如需得到高純度的硅,則需要進(jìn)行進(jìn)一步的提純處理.
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　　同位素
　　已發(fā)現(xiàn)的硅的同位素共有12種,包括硅25至硅36,其中只有硅28,硅29,硅30是穩(wěn)定的,其他同位素都帶有放射性.
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　　用途
　　硅是一種半導(dǎo)體材料,可用于制作半導(dǎo)體器件和集成電路.還可以合金的形式使用(如硅鐵合金),用于汽車和機(jī)械配件.也與陶瓷材料一起用于金屬陶瓷中.還可用于制造玻璃、混凝土、磚、耐火材料、硅氧烷、硅烷.
　　硅的特性 鋁 - 硅 - 磷
　　碳
　　硅
　　鍺
　　元素周期表
　　總體特性
　　名稱,符號(hào),序號(hào) 硅、Si、14
　　系列 類金屬
　　族,周期,元素分區(qū) 14族(IVA),3,p
　　密度、硬度 2330 kg/m3、6.5
　　顏色和外表 深灰色、帶藍(lán)色調(diào)
　　地殼含量 25.7%
　　原子屬性
　　原子量 28.0855 原子量單位
　　原子半徑（計(jì)算值） 110（111）pm
　　共價(jià)半徑 111 pm
　　范德華半徑 210 pm
　　價(jià)電子排布 [氖]3s23p2
　　電子在每能級(jí)的排布 2,8,4
　　氧化價(jià)（氧化物） 4（兩性的）
　　晶體結(jié)構(gòu) 面心立方
　　物理屬性
　　物質(zhì)狀態(tài) 固態(tài)
　　熔點(diǎn) 1687 K（1414 °C）
　　沸點(diǎn) 3173 K（2900 °C）
　　摩爾體積 12.06×10-6m3/mol
　　汽化熱 384.22 kJ/mol
　　熔化熱 50.55 kJ/mol
　　蒸氣壓 4.77 帕（1683K）
　　聲速 無數(shù)據(jù)
　　其他性質(zhì)
　　電負(fù)性 1.90（鮑林標(biāo)度）
　　比熱 700 J/(kg·K)
　　電導(dǎo)率 2.52×10-4 /(米歐姆)
　　熱導(dǎo)率 148 W/(m·K)
　　第一電離能 786.5 kJ/mol
　　第二電離能 1577.1 kJ/mol
　　第三電離能 3231.6 kJ/mol
　　第四電離能 4355.5 kJ/mol
　　第五電離能 16091 kJ/mol
　　第六電離能 19805 kJ/mol
　　第七電離能 23780 kJ/mol
　　第八電離能 29287 kJ/mol
　　第九電離能 33878 kJ/mol
　　第十電離能 38726 kJ/mol
　　最穩(wěn)定的同位素
　　同位素 豐度 半衰期 衰變模式 衰變能量
　　MeV 衰變產(chǎn)物
　　28Si 92.23 % 穩(wěn)定
　　29Si 4.67 % 穩(wěn)定
　　30Si 3.1 % 穩(wěn)定
　　32Si 人造 276年 β衰變 0.224 32P
　　核磁公振特性
　　29Si
　　核自旋 1/2