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  • 如圖所示,在傾角為θ的光滑斜面上,存在著兩個(gè)勻強(qiáng)磁場,磁場Ⅰ垂直斜面向上、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,磁場Ⅱ垂直斜面向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為2B,磁場的寬度MJ和JG均為L,一個(gè)質(zhì)量為m、

    如圖所示,在傾角為θ的光滑斜面上,存在著兩個(gè)勻強(qiáng)磁場,磁場Ⅰ垂直斜面向上、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,磁場Ⅱ垂直斜面向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為2B,磁場的寬度MJ和JG均為L,一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長也為L的正方形導(dǎo)線框,由靜止開始沿斜面下滑,當(dāng)ab邊剛越過GH進(jìn)入磁場Ⅰ區(qū)時(shí),線框恰好以速度v1做勻速直線運(yùn)動;當(dāng)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框又恰好以速度v2做勻速直線運(yùn)動,從ab進(jìn)入磁場Ⅰ至ab運(yùn)動到JP與MN中間位置的過程中,線框的機(jī)械能減少量為△E,重力對線框做功的絕對值為W1,安培力對線框做功的絕對值為W2,下列說法中正確的是(  )
    A. v1:v2=4:1
    B. v1:v2=9:1
    C. △E=W1
    D. △E=W2
    物理人氣:230 ℃時(shí)間:2020-04-10 03:46:41
    優(yōu)質(zhì)解答
    A、當(dāng)ab邊剛越過GH進(jìn)入磁場Ⅰ區(qū)時(shí),線框所受的安培力大小為F1=BI1L,I1=
    BLv1
    R
    ,得F1=
    B2L2v1
    R

    由于線框勻速運(yùn)動,則有mgsinθ=F1,得mgsinθ=
    B2L2v1
    R
     ①
    當(dāng)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框所受的安培力大小為F2=BI2L+2BI2L,I2=
    2BLv2+BLv2
    R
    =
    3BLv2
    R
    ,得F2=9
    B2L2v2
    R
    ,由平衡條件得:mgsinθ=F2,得mgsinθ=9
    B2L2v2
    R
      ②由①②得v1:v2=9:1.故A錯(cuò)誤,B正確.
    C、從ab進(jìn)入磁場Ⅰ至ab運(yùn)動到JP與MN中間位置的過程中,線框的機(jī)械能減少轉(zhuǎn)化為電能,由功能關(guān)系得:△E=W2.故C錯(cuò)誤,D正確.
    故選:BD.
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