如圖所示．電子恰好從EF邊射出時(shí)，由幾何知識可得：r+rcosθ=d…①
由牛頓第二定律：
Bev0=m
| ||
| r |
得：r=
| mv0 |
| Be |
由①②得：
v0=
| Bed |
| m(1+cosθ) |
答：電子要射出磁場，速率至少應(yīng)為
| Bed |
| m(1+cosθ) |
如圖所示，勻強(qiáng)磁場的感應(yīng)強(qiáng)度為B，寬度為d，兩平行邊界為CD和EF．一電子從CD邊界外側(cè)以速率v0垂直勻強(qiáng)磁場射入，入射方向與CD邊界間夾角為θ．已知電子的質(zhì)量為m，電荷量為e，為使電子
如圖所示，勻強(qiáng)磁場的感應(yīng)強(qiáng)度為B，寬度為d，兩平行邊界為CD和EF．一電子從CD邊界外側(cè)以速率v0垂直勻強(qiáng)磁場射入，入射方向與CD邊界間夾角為θ．已知電子的質(zhì)量為m，電荷量為e，為使電子能從磁場的另一側(cè)EF射出，求電子的速率v0至少多大？（不計(jì)電子的重力）
物理人氣：334 ℃時(shí)間：2020-03-28 05:58:03
優(yōu)質(zhì)解答
如圖所示．電子恰好從EF邊射出時(shí)，由幾何知識可得：r+rcosθ=d…①
由牛頓第二定律：
Bev0=m
得：r=
由①②得：
v0=
答：電子要射出磁場，速率至少應(yīng)為
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