半導(dǎo)體中雜質(zhì) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對電阻率的影響非常大.半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時,雜質(zhì)原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài),在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級.例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時,雜質(zhì)原子作為晶格的一分子,其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結(jié)合,多余的一個電子被束縛于雜質(zhì)原子附近,產(chǎn)生類氫能級.雜質(zhì)能級位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近.雜質(zhì)能級上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子.這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主,相應(yīng)能級稱為施主能級.施主能級上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多（圖2）.在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時,雜質(zhì)原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結(jié)合時尚缺少一個電子,因而存在一個空位,與此空位相應(yīng)的能量狀態(tài)就是雜質(zhì)能級,通常位于禁帶下方靠近價帶處.價帶中的電子很易激發(fā)到雜質(zhì)能級上填補(bǔ)這個空位,使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子.價帶中由于缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）.這種能提供空穴的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì).存在受主雜質(zhì)時,在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本征半導(dǎo)體情形要小得多.半導(dǎo)體摻雜后其電阻率大大下降.加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會使自由載流子數(shù)增加而導(dǎo)致電阻率減小,半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的.對摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體,導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子,屬電子型導(dǎo)電,稱N型半導(dǎo)體.摻入受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體屬空穴型導(dǎo)電,稱P型半導(dǎo)體.半導(dǎo)體在任何溫度下都能產(chǎn)生電子-空穴對,故N型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電空穴,P型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電電子,它們均稱為少數(shù)載流子.在半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中,少數(shù)載流子常扮演重要角色.