三極管飽和時：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都是正偏.但Ube≠Uce,應(yīng)該是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因為飽和時發(fā)射結(jié)必須流過一定的偏流,Ube不會小于0.65V.Uces是晶體管在飽和狀態(tài)時集電極與發(fā)射極之間的壓降，s代表saturation。Uces隨晶體管飽和深度而變，基極電流越大，飽和越深，Uces越小，一般小功率管的Uces可小到0.1V左右。如果需要晶體管工作在飽和狀態(tài)，當(dāng)然Uces越小越好，越小則晶體管本身損耗的功率就越低（飽和狀態(tài)時晶體管本身損耗功率＝Ic×Uces）。例如某開關(guān)管在Ic=2A時Uces＝0.2V，則損耗功率為2A×0.2V＝0.4W，若飽和壓降過大（或沒有進入深飽和狀態(tài)），例如Uces＝0.6V，則管子本身的損耗功率將達1.2W，假設(shè)這支管子的耗散功率為1W，這將導(dǎo)致管子過熱燒毀。所以在開關(guān)管里這是一項重要參數(shù)，因為開關(guān)管總是處于“截止－深飽和－截止－深飽和......”的狀態(tài)，飽和壓降越小，就越允許在飽和時通過更大的電流，甚至遠遠超過規(guī)定的Ic值（開關(guān)管由于飽和狀態(tài)的時間很短，其峰值電流遠超過平均電流）。當(dāng)然在放大狀態(tài)下，這項參數(shù)就不顯得很重要了。書上寫著Ube=Uce是臨界飽和線，是正確的，但要注意，此時晶體管并未完全進入飽和狀態(tài)，只是說在此狀態(tài)下已經(jīng)失去放大作用，這是一個臨界點。設(shè)Ube＝0.65V，這是發(fā)射結(jié)正向偏置時的結(jié)電壓，即使基極偏流繼續(xù)增加，也可以認為這個0.65V是不變的，此時集電極電流增加，負載電阻上的壓降增大，當(dāng)集電極電壓（因負載電阻上的壓降增大而）下降到與基極電壓近似相等時，集電結(jié)已不再是反偏而進入零偏置了（就是書上寫的Ube=Uce），此時晶體管失去線性放大作用，但并未完全進入飽和狀態(tài)。繼續(xù)增加基極的偏流，此時集電極電流基本已無法再增加（因為負載電阻的限流緣故），集電極電壓將會繼續(xù)下降，使集電結(jié)也進入正偏，這才進入飽和直至深飽和狀態(tài)。注意，對于晶體管來說，飽和狀態(tài)下的集電極電流并不確定，是否進入飽和狀態(tài)還要由負載電阻Rc來決定，負載電阻上的壓降越大，Uce就越小，就越容易進入飽和狀態(tài)。因此不同大小的負載電阻，會使晶體管在不同的Ic下進入飽和狀態(tài)。如果負載電阻太?。▔航颠^?。瑢τ谛」β使軄碚f，很可能永遠也進入不了飽和狀態(tài)，因為已經(jīng)燒毀了。不論發(fā)射結(jié)還是集電結(jié)，正偏時它兩端的電壓都是0.65V，當(dāng)然隨著電流增大也會增大些。對于硅管來說這是個臨界值，低于此值PN結(jié)不導(dǎo)通（鍺管是0.25V）。反偏時理論上講近似于斷路，特別是硅管，反偏的漏電流是微安級別的。三極管表面上能看做兩個二極管，也可以拿集電結(jié)當(dāng)作二極管用（發(fā)射結(jié)不可以），但實際中毫無疑問兩個二極管不可能組成一個三極管。