電子排布式的問題
電子排布式的問題
為什么Cr的電子排布式是3d5 4s1（外圍）
而Si的電子外圍排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(這樣半充滿不是更好）
為什么Cr的電子排布式是3d5 4s1（外圍）
而Si的電子外圍排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(這樣半充滿不是更好）
化學(xué)人氣：422 ℃時(shí)間：2020-05-07 12:03:41
優(yōu)質(zhì)解答
要能量最低,4s后為3d,但根據(jù)能量最低原理,1個(gè)4s電子激發(fā)到3d軌道上.3s和3p軌道之間能量差較大,不易激發(fā).
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