考察多晶硅晶粒的大小,要切片,磨、拋,腐蝕,金相顯微鏡查看,比對(duì).如觀察硅的缺陷一樣,比較麻煩.
在硅芯上氫還原生長多晶硅,硅芯的溫度、硅棒的直徑、生長的時(shí)間等對(duì)多晶的電阻率是有影響的,這種影響就使多晶硅產(chǎn)品按不同的電阻率分成不同的檔次.
要通過試驗(yàn),找到硅芯的溫度變化、硅棒的直徑、生長的時(shí)間、生產(chǎn)成本與多晶電阻率之間的關(guān)系（假定其他工藝條件不變）,才能有效地控制多晶硅的生產(chǎn).這過程中經(jīng)驗(yàn)比理論更有用.
祝好運(yùn)!